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台积电掌门人最近说了中芯国际的产品是他们五六年前水平,说明我们能够生产五六年前工艺水平的产品。够了,材料差一点那要看工匠的水平了,工匠中国从来不缺。断供虽然影响我们高端电子产品出口,但是国内使用的高科技产品应该可以提供支持,手机只是一个消费类商品不用在意。这一次政府机构改革把科技发展规划提升到党中央直接管理有什么问题不能解决?五年后应该可以看到结果。
光刻机7um以下暂时对我们是短板。米限制的是3um及以下芯片,对华为等损失较大。目前世界上用途最广,用量最大的是14um及以上产品,7um上已攻破,也只是产能问题。米国在14um上因长期放弃生产,这方面是短板,世界上我们产能占优势。14um芯片在军工、卫星、导弹及汽车等上先进,夠用。老米都得进口中国的。
中国湿刻机是世界最先进的。台积电在用。
光刻胶已研究成功几年,只是量产未全跟上,部分还得从日韩进口。卡不到我们。芯片设计、封装中国不落后。
芯片生产路綫不只荷兰,台积电那一种,国内正集中各研究单位与相关大专院校攻关,希望的暑光不久将显现。
我们也有反制措施,商务部公佈稀土金属对美断供,F35一架用稀土量很大,美有稀土资源,但高含量少,生产提练技朮还得求中国,要攻克此技朮,5一10年再说。另,环保对美困挠也大。美在我们宣佈反制后,虽然可从其盟友转购,美除成本增加外,我们还有办法让老米难受。
以上内容可从国内各主流媒体“科技栏”查到。
中国人能做好的洽洽是被西方封锁的东西。中国半导体在六、七十年代是不错的,正是因为依赖了西方产品而逐渐落后了。只我们坚定信心,持之以恒搞研发,我相信,在不久的将来,中国半导体产业一定能赶上并超越西方国家。
以我看国产替代必须在近几年实现,因为国家把研制高科技技术方面的投资列为头等大事,每年投资几千亿,从祖国的高科技产业链国产化之后,外国的芯片等公司都得破产,因为中国的芯片产业能白菜价出售,国外的就不能,因为他们成本太高。
能。肯定能。光刻机,光刻胶这些都能够克服。只是时间长短的问题。问题是肯定能够解决的。
光刻机作为芯片产业的核心装备,有人称它为“人类最精密复杂的机器”。同时,光刻机也被称为半导体工业皇冠上的明珠。光刻机产业链主要包括上游设备及材料、中游光刻机生产及下游光刻机应用三大环节。光刻机技术极为复杂,在>全部/span>半导体制造设备中技术含量最高。主要涉及系统集成、精密光学、精密运动、精密物料传输、高精度微环境控制等多项先进技术,生产一台光刻机往往涉及到上千家供应商。
目前,光刻机市场竞争格局明确,主要由阿斯麦、日本尼康和佳能三家把持,>此中/span>阿斯麦更是全球绝对龙头,市占率83.3%,几乎垄断了高端光刻机(EUV)市场。日本尼康和佳能产品主要为中低端机型。国产光刻机领域中,上海微电子一枝独秀。国产光刻机市场前景广阔,同时,为了避免在芯片产能爬坡时被外界的设备供应“卡脖子”,国产光刻机正在逐步突破。近年来,我国科技取得了巨大突破,五年内有望解决高端芯片短缺问题。
现代社会离不开芯片的支持,任何的智能终端产品都需要搭载芯片,而光刻机就是制造芯片的重要工具。在芯片制造过程中,需要将设计好的芯片图案复刻在晶圆表面,但即便是28nm,14nm的成熟芯片也会集成几十亿根晶体管。如何在有限的单位面积内曝光更多的晶体管数量,让每根晶体管纵横交错,甚至在上百个层级中错落有致,这就需要光刻机运用深紫外或极紫外光源来实现了。以EUV光刻机为例,波长为13.5nm,运用多重曝光可以轻松完成7nm及以下的高端芯片制造。只不过目前只有荷兰ASML一家公司掌握EUV光刻机量产技术,也是许多国家争相突破和发展的目标。
“10nm”“7nm”“5nm”这些词大家想必都不陌生。2018年,中微半导体成功研制7nm的刻蚀机,这是国产造芯的一大进步。(但是成功研制刻蚀机并不代表我们就有能够制造7nm制程的芯片的实力,原因后面会讲到。)这些数字指的是什么?为什么我们需要所谓7nm的光刻机呢?
芯片界有一个著名的定律——摩尔定律,即集成电路上可以容纳的晶体管数目大约每24个月增加一倍,当然对应的理论性能也能增加一倍。但如何在同样尺寸的芯片上增加晶体管数量呢?当然就是把晶体管做小,提高晶体管密度。
“7nm”中的数字最初指的就是晶体管中的沟道长度,它也是区分半导体加工技术换代的重要标志(当然现在的命名更多的是代表技术迭代,其实是要长于7nm的)。想把晶体管越做越小,自然需要更精密的刻刀——光刻机,所谓7nm光刻机就是光刻机能刻蚀的最大分辨率。
除了光学设计部分的难题,一台光刻机需要实现的还有大量挑战极限的事情。比如镜片吸收光会产生热量,因而要对系统进行冷却,那如何解决过程中的振动导致精度问题呢?高分辨率的光刻自然需要高分辨率的光刻胶,如何制备呢?锡微流体如何精确控制大小与流速?整个体系如何确保高精密的机械控制?如何保证整体的可靠性呢?这一切问题都需要系统中任一部分完美配合才能达到,因此EUV光刻机要比你想象的大——大约一辆公共汽车那么大。整个机器包含10万个部件和2公里长的电缆。每台机器发货需要40个集装箱、3架货机或者20辆卡车。
而且,要制造芯片仅有一台光刻机可不够,它的工作环境非常挑剔。首先光刻需要的房间全部为纯净的黄光,因为短波长的光会造成光刻胶变性,无法实现功能。因此黄光对于光刻,就像暗房对于胶片一样。此外,光刻所需的无尘环境要求每立方米的空气中不能有超过10个颗粒,并且颗粒大小小于0.5微米,每小时要净化30万立方米的空气。厂房对地基要求也很严格,不能有任何微小的振动,因而某种意义上讲厂房需要类似“悬浮”。光刻需要的电能也达到非常恐怖的量级,一台EUV工作24小时,耗电量达到3万度。这就是为什么我们拥有了7nm的刻蚀能力,也不等于能够制造7nm的芯片。毫不夸张地说,光刻机是在挑战人类文明的极限,是人类工艺的巅峰之作。
02光 刻 胶
光刻胶又称光致抗蚀剂,是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料,在半导体工业、PCB、平板显示等领域得到广泛应用。目前,全球缺芯背景下晶圆厂产能扩张正逐步迎来落地,半导体光刻胶市场需求稳步向上。光刻胶同样是半导体行业的关键技术之一,属于原材料的一种,而且和光刻机的联系非常密切。光刻胶作为一种光敏化学材料,需要涂抹在晶圆表面,用于保护衬底基座,并且在接收光刻机的曝光光源时承担媒介的作用,将芯片图案转移到晶圆上。
我国光刻胶产业链中,上游主要为原材料及设备,包括树脂、溶剂、单体、光引发剂、生产设备以及检测设备等;中游为光刻胶,主要包括PCB光刻胶、面板光刻胶、半导体光刻胶;下游为应用领域,光刻胶广泛应用于PCB、半导体、面板显示、芯片等。目前,光刻胶生产制造主要被日本JSR、东京应化、信越化学、住友化学等制造商所垄断,尤其在高分辨率的KrF和ArF光刻胶领域,其核心技术基本由美国和日本制造商所掌握。中国本土企业在光刻胶市场的份额较低,与国外光刻胶制造商仍存在差距。数据显示,东京应化市场占比最大达27%,杜邦、JSR、住友化学市场占比分别为17%、13%、13%。
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